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IXTP12N50PM
12
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
10
V GS = 10V
27
24
V GS = 10V
8V
8
7V
21
18
6
4
15
12
9
7V
2
0
6V
6
3
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
12
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to I D = 6A Value
vs. Junction Temperature
10
V GS = 10V
7V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
8
1.8
6
4
6V
1.6
1.4
1.2
I D = 12A
I D = 6A
1.0
2
0
5V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Drain Current
7
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt v s. Case
Te mpe rature
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
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IXTP130N10T 功能描述:MOSFET MOSFET Id130 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP140N055T2 功能描述:MOSFET 140 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP140P05T 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTP14N60PM 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTP15N20T 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube